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产品信息
*实时时钟-SD2400A (V1.00)
内置晶振、电池、两线式串行接口、定时中断输出、*、免调校
1.概述
SD
地址来寻址读写片内32 字节的数据(包括时间寄存器、报警寄存器、控制寄存器、通用SRAM 寄存器)。该
系列芯片可*时钟精度为±5ppm(在25±1℃下),即年误差小于2.5 分钟;该芯片内置性电池,在电
池使用寿命可在五年左右(工业级和民用级时间不同);该芯片内置时钟精度数字调整功能,可以在很宽的
范围内校正时钟的偏差(分辨力3ppm),通过外置的温度传感器可设定适应温度变化的调整值,实现在宽温
范围内*的计时功能;SD2400A 内置单路定时/报警中断输出,报警中断时间可*长设至100 年;该系列
芯片可满足对实时时钟芯片的各种需要,有工业级产品可供选择,且管脚与以前的SD2000A 兼容,是在选用
*实时时钟时的理想选择。
2.主要性能特点:
低功耗:典型值1.2μA(VBAT=3.0V)。
工作电压:1.8V~5.5V,工作温度:-
标准I
位功能,*了时钟数据的*性及*性。
年、月、日、星期、时、分、秒的BCD 码输入/输出,并可通过*的地址访问各时间寄存器。
闰年自动调整功能(从2000 年~2099 年)。
可选择12/24 小时制式.
三种中断, 均可选择从INT 脚输出;包含两个中断标志位.
可设定并自动重置的单路报警中断功能(时间范围*长设至100 年),并有两种报警中断模式.
周期性频率中断输出:从32768Hz~1/16Hz、1 秒共十五种方波脉冲.
自动重置的8 位*定时器,可选从4096HZ~1/60HZ 4 种时钟源。
内置时钟精度数字调整功能.
12Bytes 通用SRAM 寄存器可用于存储用户的一般数据.
具有一个后备电池输入脚VBAT,芯片依据不同的电压自动从VDD 切换到VBAT 或从VBAT 切换到VDD.
内置时钟数据写保护位,同时在VBAT 模式时禁止IIC 总线通信.可更好地保护时钟数据.
内置上电复位指示位.
内置电源稳压,内部计时电压可*1.8V.
芯片管脚 *D>4KV.
芯片在兴威帆的未加TVS 管评估板上可通过4000V 的群脉冲干扰.
内置复位电路,当振荡器开始工作时进行内部寄存器的复位.
CMOS 工艺
内置晶振,出厂前已对时钟进行校准,*精度±5ppm,即时钟年误差小于2.5 分钟(在25±1
℃下)。
__________内置电池使用寿命—性民用级:3~5 年, 性工业级和充电型:5~8 年.
有工业级型号,其尾缀加“I”以示区分,如“SD2400API”为SD
直插封装形式。