- 非IC关键词
产品信息
SD
内32 字节寄存器的数据(包括时间寄存器、报警寄存器、控制寄存器、通用SRAM 寄存器)。
SD
SD
分辨力为3.05ppm),并通过外置的温度传感器可设定适应温度变化的调整值,实现在宽温范围内高精
度的计时功能。
SD
动转为由接在VBAT 的后备电池供电。
(2)特性
低功耗: 1.0μA 典型值(VBAT =3.0V,Ta=
工作电压:1.8~5.5V,工作温度:
标准IIC 总线接口方式,**度400KHZ(4.5V~5.5V)。
年、月、日、星期、时、分、秒的BCD 码输入/输出,并可通过*的地址访问各时间寄存器。
闰年自动调整功能(从2000 年~2099 年)。
可选择12/24 小时制式.
内置年、月、日、星期、时、分、秒共7 字节的报警数据寄存器及1 字节的报警允许寄存器。
内置12 字节通用SRAM 寄存器可用于存储用户的一般数据。
三种中断均可选择从INT 脚输出,并具有两个中断标志位.
可设定并自动重置的单路报警中断功能(时间范围*长设至100 年),年、月、日、星期、时、
分、秒报警共有96 种组合方式,并有单*报警和周期性报警两种中断输出模式.
周期性频率中断输出:从64Hz~1/16Hz⋯⋯1 秒共十二种方波脉冲.
自动重置的8 位*定时器,可选的3 种时钟源(64HZ、1HZ、1/60HZ)。
内置时钟精度数字调整功能,可通过程序来调整走时的快慢。用户采用外置的温度传感器,设
定适应温度变化的调整值,可实现在宽温范围内*的计时功能。
具有一个后备电池输入脚VBAT ,芯片依据不同的电压自动从VDD 切换到VBAT 或从VBAT 切换到VDD。
在VBAT 模式下,芯片具有中断输出允许或禁止的功能,可满足在备用电池供电时输出中断的需要。
SD
内置IIC 总线0.5 秒自动复位功能(从Start 命令开始计时),*时钟数据的*性及*性,
避免IIC 总线挂*问题。
内置三个时钟数据写保护位, 避免对数据的误写操作,可更好地保护时钟数据。
内置VBAT 模式IIC 总线通信禁止功能,从而避免在电池供电时CPU 对时钟操作所消耗的电池电量,
也可避免在主电源上、下电的过程中因CPU 的I/O 端口所输出的不受控的杂波信号对时钟芯片
的误写操作,进一步*时钟芯片的*性。
内置上电复位电路及指示位。
内置电源稳压,内部计时电压可*1.5V。
芯片管脚*静电(*D)>4KV。
芯片在兴威帆的评估板上可通过4KV 的群脉冲(*)干扰。
CMOS 工艺
封装形式:SOP8。
(2)软件部分兼容
标准IIC 接口,8563、1307、35390、1208、 M41T81 的子程序可套用,*是与理光的5372 兼容
度*高,读时间数据程序可以不作改动。
(3)*大
功能如下:
a. *的强大定时中断功能,可设定并自动重置的单路报警中断功能(时间范围*长设至100 年),
年、月、日、星期、时、分、秒报警共有96 种组合方式,并有单*报警和周期性报警两种中
断输出模式。
b. *的在数字调整之下仍有秒输出的功能
c. *中断(3530、35390、1307、1208、5372、1302、1380、 M41T81 均没有)
d. 频率中断(1302、1380 均没有)
e. 电池输入脚(8563、5372、3530、35390、1380 均没有)
f. 12 字节用户通用RAM(8563、5372、3530、35390、1380、 M41T81 均没有)
g. 内置时钟精度数字调整功能(8563、3530、1208、1302、1307、1380、 M41T81 均没有)
(4 ) 高*性设计
力求在恶劣环境下时钟数据不丢失、不紊乱、不停振,向用户提供高*的IC!
a. *的内置VBAT模式IIC 总线通信禁止功能,从而避免在电池供电时CPU 对时钟操作所消耗的电
池电量,也可避免在主电源上、下电的过程中因CPU 的I/O 端口所输出的不受控的杂波信号对
时钟芯片的误写操作
b. *的内置三个时钟数据写保护位, 避免对数据的误写操作,可更好地保护时钟数据
c. *的内置IIC 总线0.5 秒自动复位功能(从Start 命令开始计时),*时钟数据的*性及可
靠性,避免IIC 总线挂*问题。
d. 芯片管脚*静电(*D)>4KV。
e. 芯片的锁定效应(Lacth up)电流>190mA
f. 芯片在兴威帆的评估板上可通过4KV 的群脉冲(*)干扰。